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HC32L13X的Flash模拟EEPROM,如何读取

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虎背熊腰

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发表于 2020-12-29 20:46:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
官方例程只有Flash的擦除与写入,没有读取的函数。
哪位大侠可以提供Flash读取函数?

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发表于 2020-12-31 10:49:06 | 显示全部楼层
手册部分有flash读取的语句
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 楼主| 发表于 2020-12-31 15:58:44 | 显示全部楼层
黄飞虎 发表于 2020-12-31 10:49
手册部分有flash读取的语句

好的,我看看能不能用。
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 楼主| 发表于 2021-1-22 09:48:18 | 显示全部楼层
黄飞虎 发表于 2020-12-31 10:49
手册部分有flash读取的语句

你好,我用官方例程测试,发现每次上电第一次写入Flash成功,但是若过几秒再次在同一地址写入另一个数据(写入前有控除相应的Sector),则写入的数据失败,重新读出的数据要么为0,要么为第一次写入的数据。
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发表于 2021-3-12 16:20:08 | 显示全部楼层
大哥,ARM AHB上挂载的Flash可以 直接读,就像读ram数据一样,不用操作什么寄存器。
比如一个fash地址是0x0007000的fash数据,直接就可以:
unsign int temp = 0;
temp = *(unsign int *)0x0007000;

这样0x0007000地址的数据就被读到了temp上。另外注意读是4字节对齐读,flash地址不能不是4字节对齐的。
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 楼主| 发表于 2021-4-6 16:20:48 | 显示全部楼层
yowen_2007 发表于 2021-3-12 16:20
大哥,ARM AHB上挂载的Flash可以 直接读,就像读ram数据一样,不用操作什么寄存器。
比如一个fash地址是0x00 ...

现在的问题是读出的数据不对,在上电后第一次写入FLASH, 读出是对的。但是再在同一地址写数据,就不行了,读出的数据要么是0,要么为第一次写入的数据。
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发表于 2021-4-7 10:05:48 | 显示全部楼层
FanWei 发表于 2021-4-6 16:20
现在的问题是读出的数据不对,在上电后第一次写入FLASH, 读出是对的。但是再在同一地址写数据,就不行了 ...

写之间擦了整个page吗?
正确的方法是,每次要写的时候,都需要先把page页内有用的数据都读到RAM内保存。
然后修改对应的RAM位置的数据,然后擦整个page,再把缓存到RAM内的数据写入到对应Flash page内。
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 楼主| 发表于 2021-4-8 16:14:51 | 显示全部楼层
写之前擦了整个page,下面是写数据的函数:

void FLASH_Write_Arr(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)       
{
        u32 secpos;           //扇区地址
        u16 secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)
        u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)          
        u16 i;   
        u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
        if(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+512*STM32_FLASH_SIZE -1))return;//非法地址
       
        //FLASH_Unlock();                                                //解锁--在半字写的过程执行解锁
       
        offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //实际偏移地址.
        secpos=offaddr/SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~127 for HDSC HC32L136
        secoff=(offaddr%SECTOR_SIZE)/2;                //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
        secremain=SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小   
        if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
        while(1)
        {       
                FLASH_Read_Arr(secpos*SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
                for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
                {
                        if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除            
                }
                if(i<secremain)//需要擦除
                {
                        Flash_SectorErase(secpos*SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
                        for(i=0;i<secremain;i++)//复制
                        {
                                STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];          
                        }
                        FLASH_WriteArr_NoCheck(secpos*SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
                }else FLASH_WriteArr_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                                   
                if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
                else//写入未结束
                {
                        secpos++;                                //扇区地址增1
                        secoff=0;                                //偏移位置为0          
                           pBuffer+=secremain;          //指针偏移
                        WriteAddr+=secremain;        //写地址偏移          
                           NumToWrite-=secremain;        //字节(16位)数递减
                        if(NumToWrite>(SECTOR_SIZE/2))secremain=SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
                        else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
                }         
        };       
//        FLASH_Lock();//上锁
}
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